p-n 이종접합 p-n heterojunction
키워드 · 정보·전자소자
서로 다른 p형·n형 반도체를 접합한 구조로, 광다이오드·정류기에서 내부 전기장을 형성한다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 8건 · 10년 3억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 100.0% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'p n heterojunction', 국문 'pn이종접합', '이종접합다이오드'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체 소자·회로 71% · 재료 > 세라믹재료 26% · 물리학 > 응집물질물리 3%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2022 | 2차원 이종접합 트랜지스터 기반 교차형 삼진 인버터 회로 어레이 개발 | 한양대학 | 교육부 | 0.5 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 7 | 4 |
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