SNU CBE

이황화텅스텐(WS2) tungsten disulfide

키워드 · 소재·나노·화학

8학부 논문
4교수
7억 국가 R&D(2015–24)
소규모증가율
0.00%서울대 비중

텅스텐과 황으로 이루어진 층상 2차원 반도체로 광전소자·촉매에 쓰인다.

연도별 학부 논문

14151617181920212223242526

국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)

15161718192021222324

2015–2024 과제 레코드 14건 · 10년 7억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 90.6% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'tungsten disulfide', 국문 '이황화텅스텐', 'WS2'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.

매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체 소자·회로 34% · 정보/통신 > 정보이론 17% · 재료 > 기타 재료 14% · 재료 > 세라믹재료 10%

최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)

연도과제수행기관부처억
2022인공 광 시냅스 소자용 용액 공정 Hf0.5Zr0.5O2 기반 초저전력 WS2 채널 NCFET 어레이 개발성균관대학교육부0.7
2022연료전지 적용을 위한 Ag 나노입자 삽입된 1T-WS2 나노시트의 뛰어난 산소환원 촉매 활성 및 촉매 메커니즘의 규명중앙대학교육부0.7
2024차세대 차량용 2차원 전이금속 칼코겐화합물 기반 이미지 센서 개발성균관대학교육부0.5
2024라만 분광학을 이용한 WS2/WSe2 이종접합 물질의 접합각도에 따른 층간 상호작용에 대한 연구서강대학교육부0.1

교수

교수연구분야논문2022년 이후
김지현공정시스템77
성영은무기 및 전기전자 소재10
최장욱무기 및 전기전자 소재10
이원보공정시스템 · 고분자 및 유기 소재11

함께 나오는 키워드

자가구동 광검출기 콜로이드 양자점 p-n 이종접합 전하이동 도핑 증가형 트랜지스터(E-mode) 결함 공학 양성자 조사 전이금속 디칼코게나이드(TMD) 표면 패시베이션 자외선-오존 처리

연결되는 NTIS 분류

없음

논문 (최신순)

연도논문학부 저자피인용
2025Self-Powered High-Performance WS2 Photodetector via a Monolithic p–i–n Homojunction
Nano Letters
김지현14
2025Ultrathin Gallium Oxide as Both Surface Passivation Layer with Conductive Filament Contacts and Alternative Gate Dielectric for 2D MOSFETs
Small
김지현4
2025Defect-engineered electrical and optoelectronic properties of WS2 irradiated with 10 MeV protons
Applied Physics Letters
김지현, 이원보3
2025Ultralow Saturation Voltage in WS2 Source-Gated Transistors with Self-Aligned and Fermi-Level-Depinned Contacts
ACS Applied Electronic Materials
김지현2
2024Achieving Ambipolar Transport Characteristics in the n-WS2 Channel via Remote p-Doping and its Enhancement-Mode Ambipolar Field-Effect Transistor Operation
ACS Applied Electronic Materials
김지현6
2023Sulfurized Colloidal Quantum Dot/Tungsten Disulfide Multi‐Dimensional Heterojunction for an Efficient Self‐Powered Visible‐to‐SWIR Photodetector
Advanced Functional Materials
김지현56
2023Editors’ Choice—Atomic Layer Etching of Tungsten Disulfide Using Remote Plasma-Induced Oxidation and Wet Etching
ECS Journal of Solid State Science and Technology
김지현7
2017Tungsten Disulfide Catalysts Supported on a Carbon Cloth Interlayer for High Performance Li–S Battery
Advanced Energy Materials
성영은, 최장욱348

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교수 1

김지현

논문 8

Defect-engineered electrical and optoelectronic properties of WS2 irra · Tungsten Disulfide Catalysts Supported on a Carbon Cloth Interlayer fo · Sulfurized Colloidal Quantum Dot/Tungsten Disulfide Multi‐Dimensional · Achieving Ambipolar Transport Characteristics in the n-WS2 Channel via · Self-Powered High-Performance WS2 Photodetector via a Monolithic p–i–n · Ultrathin Gallium Oxide as Both Surface Passivation Layer with Conduct · Editors’ Choice—Atomic Layer Etching of Tungsten Disulfide Using Remot · Ultralow Saturation Voltage in WS2 Source-Gated Transistors with Self-