Deep-ultraviolet photodetector based on exfoliated n-type β-Ga2O3 nanobelt/p-Si substrate heterojunction

저자

Gahyun Shin, Hong-Yeol Kim, 김지현 (Jihyun Kim)

연구주제

Ga2O3 and related materials · 2D Materials and Applications

NTIS 과학기술표준분류

가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 반도체 재료)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.

AI 연구 키워드·방법

베타 산화갈륨(β-Ga2O3) deep ultraviolet photodetector 기계적 박리 p-n 이종접합

키워드 (OpenAlex)

deep ultraviolet photodetectors p-n heterojunction van der Waals heterostructures p-type silicon substrate exfoliation low-dimensional semiconductors ultra-wide bandgap semiconductors rectification characteristics

초록

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음