β-Ga 2 O 3 heterojunction field-effect transistors prepared via UV laser-assisted p-doping of two-dimensional WSe 2
2022 · Journal of Materials Chemistry C
저자
Sang‐Hyun Moon, Jinho Bae, 김지현 (Jihyun Kim)
연구주제
Ga2O3 and related materials · 2D Materials and Applications
NTIS 과학기술표준분류
가장 가까운 분류(전기/전자 > 광응용기기)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: 지원 과제의 분류와 AI 키워드가 잡은 과제의 분류를 반씩.
AI 연구 키워드·방법
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) laser induced doping p-n 이종접합 이셀레늄화텅스텐(WSe2)
키워드 (OpenAlex)
β-Ga2O3 WSe2 p-n heterojunction field-effect transistors p-type doping two-dimensional materials electron affinity
초록
A WSe 2 /β-Ga 2 O 3 p–n heterojunction FET, fabricated by the area-selective p-doping of ambipolar WSe 2 via the self-limited formation of WO X with high electron affinity using a UV laser, exhibited outstanding p–n diode and JFET characteristics.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
| 연도 | 과제 | 부처 | 사업 | 수행기관 | NTIS 분류(1순위) |
|---|---|---|---|---|---|
| 2022 | 220mW급 UV-LED 및 화학/생물 작용제 제독/살균기 개발 | 다부처 | 민군기술협력(R&D)(산업부,방사청) | (주)에스엘바이오닉스 | 범위 밖 |
| 2022 | 화공분야연구인력양성사업단 | 교육부 | 4단계두뇌한국21사업(R&D) | 서울대학 | – |
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