기계적 박리 mechanical exfoliation
키워드 · 소재·나노·화학
층상 결정에 테이프 등으로 힘을 가해 얇은 2차원 박편을 떼어내는 시료 제작 방법이다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 12건 · 10년 9억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 39.5% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'mechanical exfoliation', 국문 '기계적박리'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 재료 > 금속재료 61% · 화공 > 나노 화학공정기술 17% · 전기/전자 > 반도체 소자·회로 17% · 재료 > 세라믹재료 6%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2023 | 비선형 홀효과를 이용한 신개념 반도체 핵심소재 개발 | 한국과학기술연구원 | 과학기술정보통신부 | 1.8 |
| 2022 | 준2차원 초광밴드갭 β-Ga2O3 전력 반도체 연구 | 조선대학 | 교육부 | 0.5 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 6 | 1 |
함께 나오는 키워드
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 솔라블라인드 광검출기 산화알루미늄 게이트 절연막 2차원 소재 플라즈마 식각 두께 제어 p-n 이종접합 전계효과 트랜지스터(FET) 수소 가스 센서 전력전자
연결되는 NTIS 분류
없음
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | 학부 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2022 | Exfoliated and bulk β-gallium oxide electronic and photonic devices Science Talks | 김지현 | 12 |
| 2021 | (100) Plane β -Ga 2 O 3 Flake Based Field Effect Transistor and Its Hydrogen Response ECS Journal of Solid State Science and Technology | 김지현 | 7 |
| 2017 | Tuning the thickness of exfoliated quasi-two-dimensional β-Ga2O3 flakes by plasma etching Applied Physics Letters | 김지현 | 110 |
| 2017 | Deep-ultraviolet photodetector based on exfoliated n-type β-Ga2O3 nanobelt/p-Si substrate heterojunction Korean Journal of Chemical Engineering | 김지현 | 37 |
| 2016 | Quasi-two-dimensional β-gallium oxide solar-blind photodetectors with ultrahigh responsivity Journal of Materials Chemistry C | 김지현 | 152 |
| 2016 | Effect of front and back gates on β-Ga2O3 nano-belt field-effect transistors Applied Physics Letters | 김지현 | 117 |
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교수 1
논문 6
(100) Plane β -Ga 2 O 3 Flake Based Field Effect Transistor and Its Hy · Tuning the thickness of exfoliated quasi-two-dimensional β-Ga2O3 flake · Exfoliated and bulk β-gallium oxide electronic and photonic devices · Quasi-two-dimensional β-gallium oxide solar-blind photodetectors with · Deep-ultraviolet photodetector based on exfoliated n-type β-Ga2O3 nano · Effect of front and back gates on β-Ga2O3 nano-belt field-effect trans