반데르발스 이종구조 van der waals heterostructure
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서로 다른 2차원 물질 층을 반데르발스 힘으로 쌓아 만든 적층 구조다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 95건 · 10년 110억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 94.4% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'van der waals heterostructure', 국문 '반데르발스 이종구조', '반데르발스 이종접합'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 물리학 > 응집물질물리 63% · 전기/전자 > 반도체 소자·회로 23% · 화공 > 나노 화학공정기술 6% · 전기/전자 > 광응용기기 2%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2022 | 유비쿼터스 질화붕소 박막 성장 연구 | 숙명여자대학 | 과학기술정보통신부 | 2.6 |
| 2023 | 대면적 단결정 적층 혼성구조 성장 플랫폼 및 응용연구 | 성균관대학 | 과학기술정보통신부 | 2.5 |
| 2022 | 육방정계 질화붕소의 컬러센터 기반 심자외선 광원 연구 | 경희대학 | 과학기술정보통신부 | 2.4 |
| 2022 | 순수 반데르발스 접합 이차원계 양자 스핀-초전도 하이브리드 시스템 연구 | (재)한국표준과학연구원 | 과학기술정보통신부 | 2.1 |
| 2023 | 반데르발스 이종접합 기반 멀티터미널 플로팅게이트 멤리스터 및 이를 이용한 비지도학습 뉴로모픽 시스템 개발 | 성균관대학 | 과학기술정보통신부 | 2.0 |
| 2023 | 초박형 나노 전자소자 구현을 위한 혼합형 반데르발스 이종접합소재 개발 | 아주대학 | 과학기술정보통신부 | 1.7 |
| 2022 | 나노산화물 박막소재 접목 반데르발스 헤테로구조를 이용한 차세대 반도체 소자 | 충남대학 | 과학기술정보통신부 | 1.3 |
| 2023 | 반 데르 발스 이종접합구조에 의해 유도된 2차원 강상관 양자 물질 연구 | 강원대학 | 과학기술정보통신부 | 1.2 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 6 | 0 |
함께 나오는 키워드
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 이황화몰리브덴(MoS2) 이셀레늄화텅스텐(WSe2) 흑린 p-n 이종접합 논리 게이트
연결되는 NTIS 분류
없음
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | 학부 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2020 | Ultra-Wide Bandgap β -Ga 2 O 3 Heterojunction Field-Effect Transistor Using p-Type 4H-SiC Gate for Efficient Thermal Management ECS Journal of Solid State Science and Technology | 김지현 | 19 |
| 2019 | All-2D ReS2 transistors with split gates for logic circuitry Scientific Reports | 김지현 | 35 |
| 2018 | Heterostructure WSe2−Ga2O3 Junction Field-Effect Transistor for Low-Dimensional High-Power Electronics ACS Applied Materials & Interfaces | 김지현 | 116 |
| 2018 | Two-Dimensionally Layered p-Black Phosphorus/n-MoS2/p-Black Phosphorus Heterojunctions ACS Applied Materials & Interfaces | 김지현 | 56 |
| 2018 | 2D Material‐Based Vertical Double Heterojunction Bipolar Transistors with High Current Amplification Advanced Electronic Materials | 김지현 | 37 |
| 2017 | Quasi-Two-Dimensional h-BN/β-Ga 2 O 3 Heterostructure Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistor ACS Applied Materials & Interfaces | 김지현 | 122 |
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교수 1
논문 6
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