산화알루미늄 게이트 절연막 aluminum oxide gate dielectric
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Al2O3를 게이트 절연층으로 써 누설전류를 줄이고 산화갈륨·질화갈륨 트랜지스터 성능을 높인다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 88건 · 10년 402억 · 2015–19 대비 2020–24 신규 · 대학 수행 2.0% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'aluminum oxide gate dielectric', 국문 '산화알루미늄'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 재료 > 세라믹재료 38% · 전기/전자 > 반도체장비 14% · 화학 > 무기화학 12% · 전기/전자 > 전기전자부품 12%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2023 | 이소결 산화알루미늄 및 구상 산화알루미늄 분말 상용화 기술 개발 | (주)대한세라믹스 | 산업통상자원부 | 26.9 |
| 2022 | 정밀 온도 제어를 위한 멀티존 히터가 포함된 정전척용 세라믹 히터의 개발 | (주)케이에스엠컴포넌트 | 산업통상자원부 | 12.2 |
| 2023 | 구상 산화알루미늄 분말의 고방열 부품 제조 최적 적용 기술 개발 | 실리콘밸리(주) | 산업통상자원부 | 12.1 |
| 2023 | 이소결 산화알루미늄 분말의 반도체 디스플레이 에칭장비 부품 최적 적용 기술개발 | (주)케이씨엠테크놀로지 | 산업통상자원부 | 12.1 |
| 2024 | 플라즈마에 의한 파티클 발생이 50%이상 개선된 정전척용 서셉터 개발 | (주)케이에스엠컴포넌트 | 산업통상자원부 | 11.3 |
| 2024 | 비메모리 반도체 패키지용 고방열 알루미나 소재 개발 | (주)대한세라믹스 | 산업통상자원부 | 7.0 |
| 2023 | 우수한 가스 및 수분 차단성이 부여된 유니소재(mono-material)를 위한 폴리에틸렌(PE) 기반 AlOx 공정 및 저온 경화용 코팅액 개발 | (주)서일 | 산업통상자원부 | 3.6 |
| 2022 | 2차전지용 배터리팩에 구상알루미늄분말을 적용한 3W/m.K이상 열전도도를 가진 방열 수지 개발 | 코스본(주) | 중소벤처기업부 | 2.9 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 3 | 0 |
| 김연상 | 무기 및 전기전자 소재 · 고분자 및 유기 소재 | 2 | 0 |
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산화물 박막트랜지스터 양성자 조사 대기압 플라즈마 처리 AlGaN/GaN 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 방사선 유발 열화 베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 기계적 박리
연결되는 NTIS 분류
없음
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | 학부 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2019 | Atmospheric-pressure plasma treatment toward high-quality solution-processed aluminum oxide gate dielectric films in thin-film transistors Nanotechnology | 김연상 | 13 |
| 2018 | Effects of process variables on aqueous-based AlOx insulators for high-performance solution-processed oxide thin-film transistors Journal of Industrial and Engineering Chemistry | 김연상 | 11 |
| 2016 | Effect of front and back gates on β-Ga2O3 nano-belt field-effect transistors Applied Physics Letters | 김지현 | 117 |
| 2016 | Effect of proton irradiation dose on InAlN/GaN metal-oxide semiconductor high electron mobility transistors with Al2O3 gate oxide Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena | 김지현 | 16 |
| 2015 | Effect of proton irradiation energy on AlGaN/GaN metal-oxide semiconductor high electron mobility transistors Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena | 김지현 | 13 |
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교수 2
논문 5
Effect of proton irradiation energy on AlGaN/GaN metal-oxide semicondu · Atmospheric-pressure plasma treatment toward high-quality solution-pro · Effect of front and back gates on β-Ga2O3 nano-belt field-effect trans · Effects of process variables on aqueous-based AlOx insulators for high · Effect of proton irradiation dose on InAlN/GaN metal-oxide semiconduct