증가형 트랜지스터(E-mode) enhancement-mode transistor
키워드 · 정보·전자소자
게이트 전압이 없을 때 꺼져 있는 정상-오프 트랜지스터로, 문턱전압 제어로 저전력 회로에 쓰인다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 3건 · 10년 20억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 0.0% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'enhancement mode transistor', 국문 '증가형트랜지스터', '노멀리오프', '문턱전압제어'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체 소자·회로 100%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2023 | 1.2kV급 저손실 산화갈륨 트랜지스터 개발 | 파워큐브세미(주) | 산업통상자원부 | 7.5 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 4 | 3 |
함께 나오는 키워드
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) p-n 동종접합 이셀레늄화텅스텐(WSe2) 전하이동 도핑 이황화텅스텐(WS2) 금속 보조 화학 식각(MacEtch) 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET)
연결되는 NTIS 분류
없음
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | 학부 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2026 | Forward Metal-Assisted Chemical Etching for Self-Aligned Gate-Recess Enhancement-Mode β-Ga2O3 Metal−Semiconductor Field-Effect Transistors ACS Materials Letters | 김지현 | 0 |
| 2024 | Achieving Ambipolar Transport Characteristics in the n-WS2 Channel via Remote p-Doping and its Enhancement-Mode Ambipolar Field-Effect Transistor Operation ACS Applied Electronic Materials | 김지현 | 6 |
| 2022 | Normally Off WSe2 Nanosheet-Based Field-Effect Transistors with Self-Aligned Contact Doping ACS Applied Nano Materials | 김지현 | 4 |
| 2019 | Controlling the threshold voltage of β-Ga 2 O 3 field-effect transistors via remote fluorine plasma treatment Journal of Materials Chemistry C | 김지현 | 32 |
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교수 1
논문 4
Forward Metal-Assisted Chemical Etching for Self-Aligned Gate-Recess E · Achieving Ambipolar Transport Characteristics in the n-WS2 Channel via · Normally Off WSe2 Nanosheet-Based Field-Effect Transistors with Self-A · Controlling the threshold voltage of β-Ga 2 O 3 field-effect transisto