Controlling the threshold voltage of β-Ga 2 O 3 field-effect transistors via remote fluorine plasma treatment
2019 · Journal of Materials Chemistry C
저자
Janghyuk Kim, Janghyuk Kim, Marko Jak Tadjer, Michael A. Mastro, 김지현 (Jihyun Kim), Jihyun Kim
연구주제
Ga2O3 and related materials · Semiconductor materials and devices · 2D Materials and Applications
NTIS 과학기술표준분류
가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 반도체 재료)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.
AI 연구 키워드·방법
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 증가형 트랜지스터(E-mode) fluorine plasma treatment threshold voltage control
키워드 (OpenAlex)
β-Ga2O3 field-effect transistors threshold voltage control fluorine plasma treatment remote plasma treatment metal-insulator-semiconductor enhancement-mode operation double gate
초록
The threshold voltage of β-Ga 2 O 3 metal–insulator–semiconductor field-effect transistors is controlled via remote fluorine plasma treatment, enabling an enhancement-mode operation under double gate condition.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음
인접 그래프
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