전하이동 도핑 charge transfer doping
키워드 · 정보·전자소자
표면 흡착 분자나 처리층과의 전하 교환으로 2차원 반도체의 운반자 농도를 조절하는 도핑법이다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 8건 · 10년 9억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 41.2% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'charge transfer doping', 국문 '전하이동도핑', '표면전하이동도핑'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 물리학 > 응집물질물리 39% · 전기/전자 > 반도체 소자·회로 36% · 재료 > 세라믹재료 24%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2023 | 인쇄 공정 기반 확산 도핑을 통한 대면적 이차원 반도체 소자의 전기적 특성 제어 및 고성능 소자 구현 기술 개발 | 한국과학기술연구원 | 과학기술정보통신부 | 1.8 |
| 2023 | 반데르발스 헤테로구조 기반 에너지밴드제어 및 전하이동도핑기술을 통한 2차원 P/N모듈 구현 | (재)대구경북과학기술원 | 과학기술정보통신부 | 1.2 |
| 2022 | 유기 분자 기반 표면 전하 이동 도핑을 통한 이차원 반 데르 발스 물질의 전기적 특성 제어 | 한국과학기술연구원 | 과학기술정보통신부 | 1.1 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 4 | 2 |
함께 나오는 키워드
이셀레늄화텅스텐(WSe2) 흑린 전계효과 트랜지스터(FET) 오믹 접촉 자외선-오존 처리 육방정 질화붕소(hBN) 증가형 트랜지스터(E-mode) 이황화텅스텐(WS2)
연결되는 NTIS 분류
없음
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | 학부 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2024 | Achieving Ambipolar Transport Characteristics in the n-WS2 Channel via Remote p-Doping and its Enhancement-Mode Ambipolar Field-Effect Transistor Operation ACS Applied Electronic Materials | 김지현 | 6 |
| 2022 | Capacitance–voltage characteristics of Pt/hBN/WSe2 metal–insulator–semiconductor capacitor doped by charge-transfer process Applied Physics Letters | 김지현 | 2 |
| 2020 | Selective p-Doping of 2D WSe2 via UV/Ozone Treatments and Its Application in Field-Effect Transistors ACS Applied Materials & Interfaces | 김지현 | 60 |
| 2018 | Chemical Doping Effects of Gas Molecules on Black Phosphorus Field-Effect Transistors ECS Journal of Solid State Science and Technology | 김지현 | 14 |
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교수 1
논문 4
Capacitance–voltage characteristics of Pt/hBN/WSe2 metal–insulator–sem · Selective p-Doping of 2D WSe2 via UV/Ozone Treatments and Its Applicat · Achieving Ambipolar Transport Characteristics in the n-WS2 Channel via · Chemical Doping Effects of Gas Molecules on Black Phosphorus Field-Eff