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쇼트키 다이오드 schottky diode

키워드 · 정보·전자소자

7학부 논문
2교수
468억 국가 R&D(2015–24)
+4%증가율
0.04%서울대 비중

금속-반도체 쇼트키 장벽을 이용한 다이오드로, 빠른 스위칭과 낮은 전압 강하로 전력 정류에 쓰인다.

연도별 학부 논문

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국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)

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2015–2024 과제 레코드 104건 · 10년 468억 · 2015–19 대비 2020–24 +4% · 대학 수행 5.5% · 서울대(본교) 0.04%. 매칭: 영문 키워드 'schottky diode', 국문 '쇼트키다이오드', '쇼트키배리어다이오드', 'SBD'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.

매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체 소자·회로 70% · 건설/교통 > 항공교통기술 12% · 재료 > 세라믹재료 4% · 원자력 > 원자력안전기술 4%

최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)

연도과제수행기관부처억
2023저결함(<1x104cm-2)특성의 고품위 Ga2O3 에피소재 및 1KV 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발(주)유제이엘산업통상자원부14.7
20222.5 kV급 고효율 초소형 산화갈륨 전력반도체 소자 기술 개발한국전자통신연구원과학기술정보통신부13.2
2023우주급 Diode 부품 개발(재)한국항공우주연구원과학기술정보통신부9.0
20222.5kV급 수직형, 수평형 전력반도체 소자용 4인치 대구경 산화갈륨 에피 성장 상용화 기술한국세라믹기술원과학기술정보통신부5.9
2024신규원자력시설에 대한 설계단계 안전조치 적용 지침 개발한국원자력통제기술원원자력안전위원회3.0
2022경수형 SMR 핵비확산 규제기술 개발 및 규제체계 구축한국원자력통제기술원원자력안전위원회3.0
2022신규원자력시설에 대한 안전조치성 평가 프로그램 및 설계단계 안전조치 강화 방법론 개발(재)한국원자력연구원원자력안전위원회2.6
20234인치급 산화갈륨 MOCVD chamber 및 양산형 에피 공정 기술 개발(주)케이원솔루션과학기술정보통신부2.5

교수

교수연구분야논문2022년 이후
김지현공정시스템61
김연상무기 및 전기전자 소재 · 고분자 및 유기 소재10

함께 나오는 키워드

베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 캐리어 제거율 금속-절연체-산화물 반도체 다이오드 양성자 조사 알파 입자 조사

연결되는 NTIS 분류

없음

논문 (최신순)

연도논문학부 저자피인용
2024Enhancement of heat dissipation in β-Ga 2 O 3 Schottky diodes through Cu-filled thermal vias: experimental and simulation investigations
Journal of Materials Chemistry C
김지현2
2021Effects of Downstream Plasma Exposure on β -Ga 2 O 3 Rectifiers
ECS Journal of Solid State Science and Technology
김지현8
201960Co Gamma Ray Damage in Homoepitaxial β-Ga2O3Schottky Rectifiers
ECS Journal of Solid State Science and Technology
김지현29
2019Turn-On Voltage Shift of Metal–Insulator–Oxide Semiconductor Thin-Film Diode by Adding Schottky Diode in Reverse Direction
ACS Applied Electronic Materials
김연상12
201810 MeV proton damage in β-Ga2O3 Schottky rectifiers
Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena
김지현59
2018Eighteen mega-electron-volt alpha-particle damage in homoepitaxial β-Ga2O3 Schottky rectifiers
Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena
김지현19
2017High reverse breakdown voltage Schottky rectifiers without edge termination on Ga2O3
Applied Physics Letters
김지현193

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교수 1

김지현

논문 7

Eighteen mega-electron-volt alpha-particle damage in homoepitaxial β-G · 10 MeV proton damage in β-Ga2O3 Schottky rectifiers · 60Co Gamma Ray Damage in Homoepitaxial β-Ga2O3Schottky Rectifiers · Enhancement of heat dissipation in β-Ga 2 O 3 Schottky diodes through · High reverse breakdown voltage Schottky rectifiers without edge termin · Turn-On Voltage Shift of Metal–Insulator–Oxide Semiconductor Thin-Film · Effects of Downstream Plasma Exposure on β -Ga 2 O 3 Rectifiers