할라이드 기상 에피택시(HVPE) halide vapor phase epitaxy
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3학부 논문
1교수
142억 국가 R&D(2015–24)
소규모증가율
0.00%서울대 비중
금속 할라이드 기체를 반응시켜 Ga2O3·GaN 등 반도체 단결정 박막을 빠르게 성장시키는 방법이다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 38건 · 10년 142억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 3.7% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'halide vapor phase epitaxy', 국문 'HVPE', '할라이드기상증착', '기상에피택시'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 재료 > 세라믹재료 94% · 전기/전자 > 반도체 소자·회로 2% · 전기/전자 > 광응용기기 2% · 물리학 > 응집물질물리 2%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2022 | 초고휘도 LED 및 전력반도체 소자용 직경 4인치 고품위(전위밀도 ＜ 10^6 cm^-2) GaN 단결정 소재 및 wafer 제조기술 개발 | 에임즈마이크론(주) | 산업통상자원부 | 7.0 |
| 2022 | 산화갈륨 단결정 기판 품질평가 및 에피웨이퍼 성장 기술 개발 | (주)루미지엔테크 | 과학기술정보통신부 | 3.5 |
| 2023 | GaN 기반 수직형 전력반도체용 질화갈륨 기판소재 기술 개발 | (주)루미지엔테크 | 중소벤처기업부 | 3.0 |
| 2022 | 자동분리 기술개발을 통한 전력반도체용 질화갈륨(Gallium nitride, GaN) 기판의 저가화 제조 공정 개발 | (주)진화메탈 | 중소벤처기업부 | 2.0 |
| 2022 | 차세대 전력 반도체 소자용 육각 Si 결정의 성장과 물성에 관한 연구 | 한국해양대학 | 교육부 | 0.6 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 3 | 1 |
함께 나오는 키워드
알파 산화갈륨(α-Ga2O3) 깊은 준위 트랩 자가구동 광검출기 금속 보조 화학 식각(MacEtch)
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없음
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