깊은 준위 트랩 deep level trap

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5학부 논문

1교수

12억 국가 R&D(2015–24)

소규모증가율

0.00%서울대 비중

밴드갭 깊숙이 형성된 결함 에너지 준위로, Ga2O3 등 반도체의 전기적 특성을 떨어뜨린다.

연도별 학부 논문

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국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)

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2015–2024 과제 레코드 17건 · 10년 12억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 100.0% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'deep level trap', 국문 '깊은준위', '결함준위'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.

매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 물리학 > 응집물질물리 54% · 전기/전자 > 디스플레이 34% · 재료 > 분석/물성 평가기술 12%

최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)

연도	과제	수행기관	부처	억
2022	결함공학적 접근으로 할라이드 페로브스카이트 소자의 효율 및 신뢰성 향상	한양대학	과학기술정보통신부	1.5
2022	국소 과도 광전류를 이용한 2차원 물질 결함 분석 기술 개발	동국대학	교육부	0.7
2022	깊은준위 과도용량 분광법 및 발광 분광법을 이용한 2차원 할라이드 페로브스카이트 단결정의 결함 특성 연구	한양대학	교육부	0.7

교수

교수	연구분야	논문	2022년 이후
김지현	공정시스템	5	1

함께 나오는 키워드

베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 양성자 조사 캐리어 제거율 할라이드 기상 에피택시(HVPE) 산화갈륨(Ga2O3)

연결되는 NTIS 분류

없음

논문 (최신순)

연도	논문	학부 저자	피인용
2022	Deep level defect states in β-, α-, and ɛ -Ga2O3 crystals and films: Impact on device performance Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films	김지현	115
2021	Electrical properties and deep trap spectra in Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy on p-type diamond substrates Journal of Applied Physics	김지현	35
2021	1 GeV proton damage in β-Ga2O3 Journal of Applied Physics	김지현	18
2018	Point defect induced degradation of electrical properties of Ga2O3 by 10 MeV proton damage Applied Physics Letters	김지현	156
2018	Defects responsible for charge carrier removal and correlation with deep level introduction in irradiated β-Ga2O3 Applied Physics Letters	김지현	104

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교수 1

김지현

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Defects responsible for charge carrier removal and correlation with de · 1 GeV proton damage in β-Ga2O3 · Point defect induced degradation of electrical properties of Ga2O3 by · Electrical properties and deep trap spectra in Ga2O3 films grown by ha · Deep level defect states in β-, α-, and ɛ -Ga2O3 crystals and films: I