Self-powered solar-blind α-Ga2O3 thin-film UV-C photodiode grown by halide vapor-phase epitaxy
2021 · APL Materials
저자
Jinho Bae, Ji‐Hyeon Park, Dae‐Woo Jeon, 김지현 (Jihyun Kim)
연구주제
Ga2O3 and related materials · 2D Materials and Applications
NTIS 과학기술표준분류
가장 가까운 분류(재료 > 세라믹재료 > 광/전자세라믹스)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: 지원 과제의 분류와 AI 키워드가 잡은 과제의 분류를 반씩.
AI 연구 키워드·방법
알파 산화갈륨(α-Ga2O3) 할라이드 기상 에피택시(HVPE) schottky photodiode 자가구동 광검출기
키워드 (OpenAlex)
α-Ga2O3 ultra-wide bandgap semiconductors self-powered photodetectors halide vapor phase epitaxy Schottky photodiodes thin-film photodetectors sapphire substrate persistent photoconductivity
초록
A compact self-powered solar-blind UV-C photodiode was demonstrated using an ultra-wide bandgap (UWBG) α-Ga2O3 thin film as a wavelength-selective absorber layer. The UWBG-based Schottky junction architecture renders the use of low-performance and bulky solar-blind UV bandpass filters unnecessary. High-quality α-Ga2O3 thin films with a thickness of 1.25 µm were grown on a (0001) sapphire substrate via the halide vapor-phase epitaxy technique. The self-powered solar-blind UV-C photodetector based on the Ni/α-Ga2O3 Schottky junction exhibited excellent responsivity (1.17 × 10−4 A/W), photo-to-dark current ratio (1.12 × 105), and reproducibility, as well as fast rise/decay characteristics without persistent photoconductivity upon exposure to UV-C radiation (254 nm wavelength). The relationship between light intensity (I) and photocurrent (P) was modeled by I ∼ P0.69, indicating the high-qua…
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
| 연도 | 과제 | 부처 | 사업 | 수행기관 | NTIS 분류(1순위) |
|---|---|---|---|---|---|
| 2021 | 전력소자 응용을 위한 고품위 a-Ga2O3 에피성장 기술개발 | 교육부 | 개인기초연구(교육부)(R&D) | 한국세라믹기술원 | 범위 밖 |
| 2021 | PFC 가스 대체용 Fluoro-ether 및 Fluoro-alcohol 계열 Precursor를 이용한 식각공정 기술 개발 | 산업통상자원부 | 에너지수요관리핵심기술개발(에특)(R&D) | 아주대학 | 범위 밖 |
| 2021 | 미래선도 및 현안해결형 화공생명공학 글로벌 창의 인재양성 사업단 | 교육부 | 4단계두뇌한국21사업(R&D) | 고려대학 | – |
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