Photo-enhanced metal-assisted chemical etching of α-gallium oxide grown by halide vapor-phase epitaxy on a sapphire substrate and its applications

저자

Woong Choi, Dae‐Woo Jeon, Ji-Hyeon Park, Dongryul Lee, S. W. Lee, Kwang Hyeon Baik, 김지현 (Jihyun Kim)

연구주제

Ga2O3 and related materials · Semiconductor materials and devices · GaN-based semiconductor devices and materials

NTIS 과학기술표준분류

가장 가까운 분류(재료 > 세라믹재료 > 단결정)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.

AI 연구 키워드·방법

알파 산화갈륨(α-Ga2O3) 할라이드 기상 에피택시(HVPE) 금속 보조 화학 식각(MacEtch) optoelectronic device fabrication

키워드 (OpenAlex)

metal-assisted chemical etching halide vapor phase epitaxy sapphire substrate optoelectronic devices etching temperature

초록

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음