항복 전압 breakdown voltage
키워드 · 정보·전자소자
절연이 파괴되어 전류가 급증하는 전압으로 산화갈륨 등 전력반도체 소자의 핵심 성능 지표다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 57건 · 10년 244억 · 2015–19 대비 2020–24 신규 · 대학 수행 11.2% · 서울대(본교) 2.15%. 매칭: 영문 키워드 'breakdown voltage', 국문 '항복전압', '절연파괴전압'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체 소자·회로 69% · 전기/전자 > 전기전자부품 19% · 재료 > 세라믹재료 4% · 재료 > 금속재료 2%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2022 | 5G 기지국 부품용 High Q 커패시터 개발 | 한국전자기술연구원 | 과학기술정보통신부 | 16.0 |
| 2023 | 저결함(＜1x104cm-2)특성의 고품위 Ga2O3 에피소재 및 1KV 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발 | (주)유제이엘 | 산업통상자원부 | 14.7 |
| 2022 | 2.5 kV급 고효율 초소형 산화갈륨 전력반도체 소자 기술 개발 | 한국전자통신연구원 | 과학기술정보통신부 | 13.2 |
| 2023 | 2.5kV급 수직형, 수평형 전력반도체 소자용 4인치 대구경 산화갈륨 에피 성장 상용화 기술 | 한국세라믹기술원 | 과학기술정보통신부 | 5.3 |
| 2023 | 4인치급 산화갈륨 MOCVD chamber 및 양산형 에피 공정 기술 개발 | (주)케이원솔루션 | 과학기술정보통신부 | 2.5 |
| 2023 | 차세대 분자 다이오드: 개별 분자에 기반한 양방 향성 분자 다이오드 | 고려대학 | 과학기술정보통신부 | 2.2 |
| 2022 | 수용액 플라즈마 산화현상을 통한 마그네슘 방식층 형성 및 이에 관한 회로기반 부식 모델링 | 영남대학 | 과학기술정보통신부 | 1.8 |
| 2022 | SiC 전력반도체 6인치 핵심 표준공정 기술개발 | 포항공과대학 | 과학기술정보통신부 | 1.7 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 5 | 1 |
함께 나오는 키워드
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 필드 플레이트 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET) 육방정 질화붕소(hBN)
연결되는 NTIS 분류
없음
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | 학부 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2024 | A high-breakdown-voltage β-Ga 2 O 3 nanoFET with a beveled field-plate structure Journal of Materials Chemistry C | 김지현 | 10 |
| 2020 | Dual-field plated β-Ga 2 O 3 nano-FETs with an off-state breakdown voltage exceeding 400 V Journal of Materials Chemistry C | 김지현 | 21 |
| 2019 | Field-plate engineering for high breakdown voltage β-Ga 2 O 3 nanolayer field-effect transistors RSC Advances | 김지현 | 39 |
| 2018 | High breakdown voltage quasi-two-dimensional β-Ga2O3 field-effect transistors with a boron nitride field plate Applied Physics Letters | 김지현 | 116 |
| 2016 | Electrical Characteristics of Vertical Ni/β-Ga2O3Schottky Barrier Diodes at High Temperatures ECS Journal of Solid State Science and Technology | 김지현 | 114 |
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교수 1
논문 5
A high-breakdown-voltage β-Ga 2 O 3 nanoFET with a beveled field-plate · Dual-field plated β-Ga 2 O 3 nano-FETs with an off-state breakdown vol · Field-plate engineering for high breakdown voltage β-Ga 2 O 3 nanolaye · High breakdown voltage quasi-two-dimensional β-Ga2O3 field-effect tran · Electrical Characteristics of Vertical Ni/β-Ga2O3Schottky Barrier Diod