Dual-field plated β-Ga 2 O 3 nano-FETs with an off-state breakdown voltage exceeding 400 V
2020 · Journal of Materials Chemistry C
저자
Jinho Bae, Hyoung Woo Kim, In Ho Kang, 김지현 (Jihyun Kim)
연구주제
Ga2O3 and related materials · 2D Materials and Applications · GaN-based semiconductor devices and materials
NTIS 과학기술표준분류
가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: 지원 과제의 분류와 AI 키워드가 잡은 과제의 분류를 반씩.
AI 연구 키워드·방법
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 항복 전압 필드 플레이트 nanolayer field effect transistor
키워드 (OpenAlex)
β-Ga2O3 off-state breakdown voltage ultra-wide bandgap semiconductors voltage swing high-voltage transistors
초록
The introduction of multiple field-modulating plates into ultra-wide bandgap nano-FETs greatly increased the voltage swings to over 400 V.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
| 연도 | 과제 | 부처 | 사업 | 수행기관 | NTIS 분류(1순위) |
|---|---|---|---|---|---|
| 2020 | 고전압, 고전류밀도 SiC기반 차세대 전력소자 개발 | 과학기술정보통신부 | 한국전기연구원연구운영비지원(R&D)(주요사업비) | 한국전기연구원 | – |
| 2020 | 방사선 조사를 통한 hexagonal boron nitride 초박막의 물성제어 연구 | 교육부 | 개인기초연구(교육부)(R&D) | 고려대학교 | 범위 밖 |
| 2020 | PFC 가스 대체용 Fluoro-ether 및 Fluoro-alcohol 계열 Precursor를 이용한 식각공정 기술 개발 | 산업통상자원부 | 에너지수요관리핵심기술개발(에특)(R&D) | 아주대학교산학협력단 | 범위 밖 |
인접 그래프
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