Field-plate engineering for high breakdown voltage β-Ga 2 O 3 nanolayer field-effect transistors
2019 · RSC Advances
저자
Jinho Bae, Hyoung Woo Kim, In Ho Kang, 김지현 (Jihyun Kim)
연구주제
Ga2O3 and related materials · 2D Materials and Applications
NTIS 과학기술표준분류
가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 반도체 재료)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.
AI 연구 키워드·방법
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 항복 전압 필드 플레이트 nanolayer field effect transistor
키워드 (OpenAlex)
β-Ga2O3 gallium oxide high breakdown voltage power electronics
초록
nanoFETs with a high breakdown voltage of over 300 V could pave a way for downsizing power electronic devices, enabling the economization of power systems.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음
인접 그래프
노드 hover = 이웃 강조 · 1회 클릭 = 고정 · 고정된 노드 다시 클릭 = 페이지 이동