A high-breakdown-voltage β-Ga 2 O 3 nanoFET with a beveled field-plate structure
2024 · Journal of Materials Chemistry C
저자
Jeongmin Kim, Jeongmin Kim, Hyoung Woo Kim, In-Ho Kang, Jung-Hun Kim, Jung-Hun Kim, Seokjin Ko, Jinho Bae, 김지현 (Jihyun Kim), Jihyun Kim
연구주제
Ga2O3 and related materials · 2D Materials and Applications · Semiconductor materials and devices
NTIS 과학기술표준분류
가장 가까운 분류(전기/전자 > 계측기기 > 계측센서/부품)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: 지원 과제의 분류와 AI 키워드가 잡은 과제의 분류를 반씩.
AI 연구 키워드·방법
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 항복 전압 필드 플레이트 육방정 질화붕소(hBN)
키워드 (OpenAlex)
β-Ga2O3 off-state breakdown voltage hexagonal boron nitride plasma etching high breakdown voltage wide bandgap semiconductors
초록
The three-terminal off-state breakdown voltage of the β-Ga 2 O 3 nanoFET with beveled field-plate (FP) was obtained at +441 V, enhanced by downstream plasma-etched 60° h-BN FP structure.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
| 연도 | 과제 | 부처 | 사업 | 수행기관 | NTIS 분류(1순위) |
|---|---|---|---|---|---|
| 2024 | 극한환경용 산화갈륨 자외선 센서 기술 개발 | 산업통상자원부 | 시장선도를위한한국주도형K-Sensor기술개발(R&D) | 한국항공대학 | 범위 밖 |
인접 그래프
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