급속 열처리(RTA) rapid thermal annealing
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3학부 논문
1교수
71억 국가 R&D(2015–24)
소규모증가율
0.00%서울대 비중
수 초에서 수 분 동안 고온으로 빠르게 가열하는 열처리로, 반도체 접촉 형성과 결함 회복에 쓰인다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 30건 · 10년 71억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 43.7% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'rapid thermal annealing', 국문 '급속열처리', 'RTA'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 재료 > 금속재료 32% · 에너지/자원 > 신재생에너지 19% · 전기/전자 > 디스플레이 14% · 환경 > 대기질 관리 12%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2024 | KAIST-MIT 미래 에너지 선도연구센터 (AI-로보틱스 기반 에너지 소재 혁신) | 한국과학기술원 | 과학기술정보통신부 | 23.0 |
| 2022 | 한·중 주요지역 미세먼지 발생 특성 연구(Ⅲ) | 국립환경과학원 | 환경부 | 2.9 |
| 2023 | 진공 브레이징 단가 70 % 이상 절감을 위한 반도체 공정용 급속열처리(Rapid Thermal Processing) 시스템의 램프 하우징 (Lamp Housing) 국산화 개발 | (주)창성정공 | 중소벤처기업부 | 2.0 |
| 2022 | 대면적 실리콘 웨이퍼의 급속가열을 위한 2차원 확장가능 VCSEL 어닐링 장치 개발 | 홍익대학 | 과학기술정보통신부 | 0.6 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 3 | 1 |
함께 나오는 키워드
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 오믹 접촉 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET) 쇼트키 접촉 이셀레늄화텅스텐(WSe2)
연결되는 NTIS 분류
없음
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | 학부 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2025 | Phosphorus-ion implantation in two-dimensional WSe2 for hole doping Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films | 김지현 | 2 |
| 2019 | Electrical Properties of Thermally Annealed β-Ga2O3 Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors with Pt/Au Schottky Contacts ECS Journal of Solid State Science and Technology | 김지현 | 8 |
| 2016 | Contacting Mechanically Exfoliated β-Ga2O3Nanobelts for (Opto)electronic Device Applications ECS Journal of Solid State Science and Technology | 김지현 | 29 |
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교수 1
논문 3
Electrical Properties of Thermally Annealed β-Ga2O3 Metal-Semiconducto · Contacting Mechanically Exfoliated β-Ga2O3Nanobelts for (Opto)electron · Phosphorus-ion implantation in two-dimensional WSe2 for hole doping