쇼트키 접촉 schottky contact
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3학부 논문
2교수
58억 국가 R&D(2015–24)
소규모증가율
0.00%서울대 비중
금속-반도체 접합에 에너지 장벽이 생겨 전류가 한 방향으로 흐르는 접촉으로, 광검출기·다이오드에 쓰인다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 49건 · 10년 58억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 92.3% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'schottky contact', 국문 '쇼트키접촉', '쇼트키장벽'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 재료 > 기타 재료 56% · 전기/전자 > 반도체 소자·회로 14% · 물리학 > 응집물질물리 10% · 전기/전자 > 디스플레이 8%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2023 | 2차원소재 페르미전위고정 극복을 통한 CMOS 공정개발 | 성균관대학 | 과학기술정보통신부 | 1.9 |
| 2022 | 원자수준 제어2차원소재 및 복합차원형 계면 | 성균관대학 | 과학기술정보통신부 | 1.6 |
| 2024 | 금속 수소화물-원자층 반도체 이종 접합을 이용한 쇼트키 장벽 가변형 저전력, 초고속 멤트랜지스터 소자 개발 | 충북대학 | 교육부 | 0.8 |
| 2024 | Co3O4 기반 자기 정류 RRAM의 전도 메커니즘과 향상된 내구성 특성 | 고려대학 | 교육부 | 0.1 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 2 | 0 |
| 김연상 | 무기 및 전기전자 소재 · 고분자 및 유기 소재 | 1 | 0 |
함께 나오는 키워드
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 결함 공학 인듐갈륨아연산화물(IGZO) 금속-반도체-금속(MSM) 광검출기 솔라블라인드 광검출기 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET) 급속 열처리(RTA)
연결되는 NTIS 분류
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | 학부 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2021 | Strategies for High-Performance Amorphous Indium–Gallium–Zinc Oxide Schottky Contact via Defect-Induced Physical Interface Modification 나노 화학공정기술 ACS Applied Electronic Materials | 김연상 | 13 |
| 2019 | Electrical Properties of Thermally Annealed β-Ga2O3 Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors with Pt/Au Schottky Contacts ECS Journal of Solid State Science and Technology | 김지현 | 8 |
| 2017 | Solar-Blind Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors Based on an Exfoliated β-Ga2O3Micro-Flake ECS Journal of Solid State Science and Technology | 김지현 | 112 |
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교수 1
논문 3
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