SNU CBE

무극성 질화갈륨(GaN) nonpolar gan

키워드 · 정보·전자소자

3학부 논문
1교수
0억 국가 R&D(2015–24)
–증가율
–%서울대 비중

분극 전기장이 없는 결정면으로 성장시킨 GaN 박막으로, 발광 소자의 효율 저하를 줄이는 데 쓰인다.

연도별 학부 논문

14151617181920212223242526

국가 R&D 과제 동향

NTIS 과제명·키워드에서 대응하는 과제를 찾지 못했다.

교수

교수연구분야논문2022년 이후
김지현공정시스템30

함께 나오는 키워드

질화갈륨(GaN) 격자 뒤틀림

연결되는 NTIS 분류

없음

논문 (최신순)

연도논문학부 저자피인용
2016Chemical etching behavior of non-polar GaN sidewalls
Journal of Crystal Growth
김지현2
2015Lattice distortion analysis of nonpolar a-plane $$(11\bar 20)$$ GaN films by using a grazing-incidence X-ray diffraction technique
Journal of the Korean Physical Society
김지현3
2014Chemical etching behaviors of semipolar (1122) and nonpolar (1120) gallium nitride films
Physical Chemistry Chemical Physics
김지현25

인접 그래프

노드 hover = 이웃 강조 · 1회 클릭 = 고정 · 고정된 노드 다시 클릭 = 페이지 이동

이 문서와 연결된 페이지

교수 1

김지현

논문 3

Lattice distortion analysis of nonpolar a-plane $$(11\bar 20)$$ GaN fi · Chemical etching behaviors of semipolar (1122) and nonpolar (1120) gal · Chemical etching behavior of non-polar GaN sidewalls