질화갈륨(GaN) gallium nitride
키워드 · 정보·전자소자
3학부 논문
1교수
2,906억 국가 R&D(2015–24)
+111%증가율
0.31%서울대 비중
넓은 밴드갭을 지닌 화합물 반도체로, LED와 고출력·고주파 전력소자에 쓰인다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 779건 · 10년 2,906억 · 2015–19 대비 2020–24 +111% · 대학 수행 16.9% · 서울대(본교) 0.31%. 매칭: 영문 키워드 'gallium nitride', 국문 '질화갈륨', 'GaN'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체 소자·회로 47% · 전기/전자 > 반도체장비 14% · 정보/통신 > 정보통신 모듈/부품 11% · 재료 > 세라믹재료 4%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2022 | 실리콘반도체 후공정 및 질화갈륨 반도체 지원 공정 체계 구축 | (재)한국나노기술원 | 과학기술정보통신부 | 61.0 |
| 2024 | 와이드밴드갭 소재기반 차량용 전력반도체 제조공정 기반구축 | 포항공과대학 | 산업통상자원부 | 41.0 |
| 2022 | X대역 25W급 GaN 전력증폭기 MMIC 공정기술 개발 | 알에프에이치아이씨(주) | 산업통상자원부 | 26.0 |
| 2023 | 1200 V E-mode 질화갈륨 전력반도체 에피 소재-소자-IC 집적 6인치 공정 플랫폼 및 고방열 패키지/모듈 기술 개발 | (재)한국나노기술원 | 과학기술정보통신부 | 24.5 |
| 2024 | GaN 전력모듈 기반 고효율·고밀도 전기자동차용 인버터 기술개발 | 한국전자기술연구원 | 산업통상자원부 | 23.4 |
| 2022 | 28GHz 지원 5G 기지국용 GaN 기반 공정 기술 및 RF 부품 개발 | 한국전자통신연구원 | 과학기술정보통신부 | 20.0 |
| 2024 | 고균일 (파장 균일도 ≤ ±2㎚) LED 특성을 위한 단일 클러스터형 6인치급 질화물 고온 성장용 MOCVD 장비 기술 개발 | 한국세라믹기술원 | 산업통상자원부 | 18.7 |
| 2024 | Sub-6GHz Massive MIMO 지원 기지국을 위한 Envelop Tracking PAM 개발 | (주)티제이이노베이션 | 과학기술정보통신부 | 18.0 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 3 | 0 |
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없음
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | 학부 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2021 | Review—Radiation Damage in Wide and Ultra-Wide Bandgap Semiconductors ECS Journal of Solid State Science and Technology | 김지현 | 150 |
| 2016 | Chemical etching behavior of non-polar GaN sidewalls Journal of Crystal Growth | 김지현 | 2 |
| 2014 | Chemical etching behaviors of semipolar (1122) and nonpolar (1120) gallium nitride films Physical Chemistry Chemical Physics | 김지현 | 25 |
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