Chemical etching behavior of non-polar GaN sidewalls

저자

Younghun Jung, Soohwan Jang, Kwang Hyeon Baik, Hong-Yeol Kim, 김지현 (Jihyun Kim)

연구주제

GaN-based semiconductor devices and materials

NTIS 과학기술표준분류

가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.

AI 연구 키워드·방법

질화갈륨(GaN) 무극성 질화갈륨(GaN) sidewall etching wet chemical etching

키워드 (OpenAlex)

nonpolar GaN a-plane GaN wet etching sidewall etching trigonal prisms light extraction light-emitting diodes KOH etching

초록

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음