Optimized HZO/Al2O3 gate stack enables thermally stable β-Ga2O3 ferroelectric field-effect transistors with an enhanced memory window

저자

Seungyun Lee, Jaewook Lee, Sang‐Hyun Moon, Seokjin Ko, Seongyun Yang, Min Hyuk Park, 김지현 (Jihyun Kim)

연구주제

Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Ga2O3 and related materials · Semiconductor materials and devices

NTIS 과학기술표준분류

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AI 연구 키워드·방법

베타 산화갈륨(β-Ga2O3) ferroelectric field effect transistor hafnium zirconium oxide memory window

키워드 (OpenAlex)

β-Ga2O3 ferroelectric field-effect transistors Al2O3 interlayer interface trap density memory window thermal stability cryogenic operation non-volatile memory

초록

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음