Defining the relative proton irradiation hardness of β-Ga2O3
2025 · Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films
저자
Hsiao-Hsuan Wan, Fan Ren, Alexander Y. Polyakov, Aman Haque, Joonyup Bae, 김지현 (Jihyun Kim), Aaron Rabin, Assel Aitkaliyeva, S. J. Pearton
연구주제
Ga2O3 and related materials · Radiation Effects in Electronics
NTIS 과학기술표준분류
가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.
AI 연구 키워드·방법
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) 캐리어 제거율 non ionizing energy loss 양성자 조사
키워드 (OpenAlex)
β-Ga2O3 proton irradiation carrier removal rate non-ionizing energy loss critical fluence acceptor traps n-type semiconductors radioresistance
초록
The correlation between the carrier removal rate (CRR) in n-type Ga2O3 and the nonionizing energy loss (NIEL) by MeV protons during irradiation of rectifier structures is reported. A dependence of CRR = 7 × 10−14 (n0 × NIEL) + 18.7 is found, where n0 is the drift layer doping. The critical proton fluence at which the drift layer doping would be fully compensated by acceptor traps created by the NIEL in Ga2O3 is ΦCR (Ga2O3) = 6 × 10−4 (n0/NIEL) + 5 × 1013 cm−2. A comparison with SiC irradiated under similar conditions shows the Ga2O3 to have a higher critical fluence.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음
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