Photoelectrochemical etching of ultra-wide bandgap β-Ga2O3 semiconductor in phosphoric acid and its optoelectronic device application
2020 · Applied Surface Science
저자
Yong ha Choi, Kwang Hyeon Baik, Suhyun Kim, 김지현 (Jihyun Kim)
연구주제
Ga2O3 and related materials · Semiconductor materials and devices · 2D Materials and Applications
NTIS 과학기술표준분류
가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 반도체 재료)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.
AI 연구 키워드·방법
베타 산화갈륨(β-Ga2O3) optoelectronic device fabrication phosphoric acid etching photoelectrochemical etching
키워드 (OpenAlex)
photoelectrochemical etching β-Ga2O3 gallium oxide ultra-wide bandgap semiconductors phosphoric acid anisotropic etching activation energy surface termination
초록
초록 없음
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
| 연도 | 과제 | 부처 | 사업 | 수행기관 | NTIS 분류(1순위) |
|---|---|---|---|---|---|
| 2021 | 미래선도 및 현안해결형 화공생명공학 글로벌 창의 인재양성 사업단 | 교육부 | 4단계두뇌한국21사업(R&D) | 고려대학 | – |
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