Radiation damage effects in Ga 2 O 3 materials and devices
2018 · Journal of Materials Chemistry C
저자
김지현 (Jihyun Kim), S. J. Pearton, Chaker Fares, Jiancheng Yang, Fan Ren, Suhyun Kim, Alexander Y. Polyakov
연구주제
Ga2O3 and related materials · Radiation Effects in Electronics
NTIS 과학기술표준분류
가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.
AI 연구 키워드·방법
산화갈륨(Ga2O3) radiation damage 와이드밴드갭 반도체
키워드 (OpenAlex)
gallium oxide radiation damage wide bandgap semiconductors radioresistance
초록
The strong bonding in wide bandgap semiconductors gives them an intrinsic radiation hardness.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음
인접 그래프
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