Tuning the thickness of black phosphorus via ion bombardment-free plasma etching for device performance improvement
2016 · Journal of Materials Chemistry C
저자
Geonyeop Lee, Geonyeop Lee, Jong‐Young Lee, Gwan-Hyoung Lee, Gwan-Hyoung Lee, 김지현 (Jihyun Kim)
연구주제
2D Materials and Applications · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design · Graphene research and applications
NTIS 과학기술표준분류
가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.
AI 연구 키워드·방법
흑린 전계효과 트랜지스터(FET) 플라즈마 식각 두께 제어
키워드 (OpenAlex)
black phosphorus plasma etching thickness control field-effect transistors two-dimensional materials device performance
초록
Field-effect transistors based on thickness-controlled black phosphorus showed improved device performances after ion bombardment-free plasma etching.
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