SNU CBE

Tuning the thickness of black phosphorus via ion bombardment-free plasma etching for device performance improvement

2016 · Journal of Materials Chemistry C

저자

Geonyeop Lee, Geonyeop Lee, Jong‐Young Lee, Gwan-Hyoung Lee, Gwan-Hyoung Lee, 김지현 (Jihyun Kim)

연구주제

2D Materials and Applications · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design · Graphene research and applications

NTIS 과학기술표준분류

가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.

AI 연구 키워드·방법

흑린 전계효과 트랜지스터(FET) 플라즈마 식각 두께 제어

키워드 (OpenAlex)

black phosphorus plasma etching thickness control field-effect transistors two-dimensional materials device performance

초록

Field-effect transistors based on thickness-controlled black phosphorus showed improved device performances after ion bombardment-free plasma etching.

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음

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교수 1

김지현

연구주제 1

2D Materials and Applications

키워드 4

전계효과 트랜지스터(FET) · 흑린 · 플라즈마 식각 · 두께 제어