Colloidal Synthesis of Uniform‐Sized Molybdenum Disulfide Nanosheets for Wafer‐Scale Flexible Nonvolatile Memory

2016 · Advanced Materials

저자

Donghee Son, Sue In Chae, Myungbin Kim, Moon Kee Choi, Jiwoong Yang, Kunsu Park, Vinayak S. Kale, Ja Hoon Koo, Changsoon Choi, Minbaek Lee, Ji Hoon Kim, 현택환 (Taeghwan Hyeon), 김대형 (Dae‐Hyeong Kim)

연구주제

Advanced Memory and Neural Computing · 2D Materials and Applications

NTIS 과학기술표준분류

가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 반도체 재료)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.

AI 연구 키워드·방법

유연 전자소자 이황화몰리브데넘(MoS2) 나노시트 저항 변화 메모리(ReRAM) wafer scale integration

colloidal synthesis

키워드 (OpenAlex)

MoS2 MoS2 nanosheets colloidal synthesis non-volatile memory wafer-scale integration on/off current ratio pressure sensors quantum dot light-emitting diodes

초록

Large-scale colloidal synthesis and integration of uniform-sized molybdenum disulfide (MoS2) nanosheets for a flexible resistive random access memory (RRAM) array are presented. RRAM using MoS2 nanosheets shows a ≈10 000 times higher on/off ratio than that based on exfoliated MoS2. The good uniformity of the MoS2 nanosheets allows wafer-scale system integration of the RRAM array with pressure sensors and quantum-dot light-emitting diodes.

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음

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