저항 변화 메모리(ReRAM) resistive random access memory

키워드 · 정보·전자소자

2학부 논문

2교수

475억 국가 R&D(2015–24)

+80%증가율

24.11%서울대 비중

인가 전압에 따라 절연층 저항이 바뀌는 성질을 이용해 정보를 저장하는 비휘발성 메모리다.

연도별 학부 논문

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국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)

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2015–2024 과제 레코드 242건 · 10년 475억 · 2015–19 대비 2020–24 +80% · 대학 수행 91.9% · 서울대(본교) 24.11%. 매칭: 영문 키워드 'resistive random access memory', 국문 '저항변화메모리', 'ReRAM', 'RRAM'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.

매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체 소자·회로 67% · 재료 > 세라믹재료 14% · 뇌과학 > 뇌공학 8% · 전기/전자 > 광응용기기 3%

최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)

연도	과제	수행기관	부처	억
2022	수직 적층 인공지능 플랫폼을 위한 신소자 기반 초고집적 적층형 시냅스 어레이 및 CMOS 집적회로	서울대학	과학기술정보통신부	13.5
2023	인공지능 반도체용 ReRAM crossbar array(CBA) 회로 설계 및 최적화를 위한 기계학습 기반 멀티 스케일 시뮬레이션 플랫폼 개발	(주)알세미	과학기술정보통신부	10.1
2022	뉴로모픽 감각시스템을 위한 3차원 일체형 단일 칩	서울대학	과학기술정보통신부	8.0
2022	단원자 기반 초저전력 IoT용 통합 소자(2-terminal memory, switch, battery)개발	포항공과대학	과학기술정보통신부	7.8
2022	순차 데이터 처리, 이미지 분류 및 논리 회로 구성이 가능한 고신뢰성 저항변화 메모리 (ReRAM) 기반 PIM 소자, 회로, 아키텍처 개발	한국과학기술원	과학기술정보통신부	7.8
2023	이벤트 데이터 실시간 추론용 RRAM 기반 고속/저전력 뉴로모픽 프로세서 및 멀티칩 시스템 개발	한양대학	과학기술정보통신부	7.0
2022	ReRAM 기반 near-memory 비트벡터 연산기를 위한 ReRAM 셀 어레이 개발	경희대학	과학기술정보통신부	5.7
2022	Equilibrium propagation 학습 learner를 탑재한 수동형 RRAM 기반 디지털 뉴로모픽 프로세서 원천기술 개발	한양대학	과학기술정보통신부	5.1

교수

교수	연구분야	논문	2022년 이후
김대형	무기 및 전기전자 소재	2	0
현택환	무기 및 전기전자 소재	2	0

함께 나오는 키워드

유연 전자소자 이황화몰리브데넘(MoS2) 나노시트 염료 감응 상향변환 나노입자(UCNP)

연결되는 NTIS 분류

없음

논문 (최신순)

연도	논문	학부 저자	피인용
2016	Colloidal Synthesis of Uniform‐Sized Molybdenum Disulfide Nanosheets for Wafer‐Scale Flexible Nonvolatile Memory Advanced Materials	김대형, 현택환	189
2016	Ultra‐Wideband Multi‐Dye‐Sensitized Upconverting Nanoparticles for Information Security Application Advanced Materials	김대형, 현택환	189

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현택환 · 김대형

논문 2

Colloidal Synthesis of Uniform‐Sized Molybdenum Disulfide Nanosheets f · Ultra‐Wideband Multi‐Dye‐Sensitized Upconverting Nanoparticles for Inf