유기금속 화학기상증착(MOCVD) metalorganic chemical vapor deposition
방법 · 공정·제작
3학부 논문
1교수
402억 국가 R&D(2015–24)
+190%증가율
0.00%서울대 비중
유기금속 전구체를 기상으로 공급해 화합물 반도체 박막을 에피택시 성장시키는 증착 공정이다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 149건 · 10년 402억 · 2015–19 대비 2020–24 +190% · 대학 수행 37.5% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'metalorganic chemical vapor deposition', 국문 '유기금속화학기상증착', 'MOCVD'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체 소자·회로 47% · 재료 > 세라믹재료 13% · 전기/전자 > 반도체장비 13% · 물리학 > 응집물질물리 9%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2023 | 화합물반도체 에피센터 구축 | (재)한국나노기술원 | 과학기술정보통신부 | 20.0 |
| 2024 | 고균일 (파장 균일도 ≤ ±2㎚) LED 특성을 위한 단일 클러스터형 6인치급 질화물 고온 성장용 MOCVD 장비 기술 개발 | 한국세라믹기술원 | 산업통상자원부 | 18.7 |
| 2022 | high-κ 절연체 터널장벽을 활용한 초저전력 2D-3D 전이금속 디켈코게나이드 초저전력 TFET와 로직 회로의 개발 | 한국과학기술원 | 과학기술정보통신부 | 13.0 |
| 2023 | 2D 반데르발스 물질 기반 다채널 GAA-FET 향 소재/공정/소자 기술 개발 | 성균관대학 | 과학기술정보통신부 | 10.1 |
| 2023 | 기판 재사용이 가능한 2차원 분리막 기반의 원격에피택시 기술을 통한 고품질 질화물계 멤브레인 제작 원천 기술 연구 | 경북대학 | 과학기술정보통신부 | 9.5 |
| 2024 | RF 특성을 갖는 AlScN/GaN HEMT 제작을 위한 에피 및 소자 개발 | 서울반도체(주) | 산업통상자원부 | 9.0 |
| 2022 | X대역 4인치 고품질 GaN 에피소재 기술개발 | 알에프에이치아이씨(주) | 산업통상자원부 | 8.9 |
| 2022 | 저온 합성된 반데르발스 층상 소재 기반의 대면적 단일 3차원 집적 트랜지스터 및 적외선 센서 개발 | 포항공과대학 | 과학기술정보통신부 | 8.0 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 3 | 0 |
연결되는 NTIS 분류
없음
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | 학부 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2019 | Photo-Enhanced Acid Chemical Etching of High-Quality Aluminum Nitride Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition ECS Journal of Solid State Science and Technology | 김지현 | 10 |
| 2016 | Elevated temperature performance of Si-implanted solar-blind β-Ga2O3 photodetectors Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena | 김지현 | 36 |
| 2015 | Development of solar-blind photodetectors based on Si-implanted β-Ga_2O_3 Optics Express | 김지현 | 116 |
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교수 1
논문 3
Development of solar-blind photodetectors based on Si-implanted β-Ga_2 · Elevated temperature performance of Si-implanted solar-blind β-Ga2O3 p · Photo-Enhanced Acid Chemical Etching of High-Quality Aluminum Nitride