IGZO 박막트랜지스터 indium gallium zinc oxide thin-film transistor
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7학부 논문
1교수
0억 국가 R&D(2015–24)
–증가율
–%서울대 비중
IGZO 산화물 반도체를 채널로 쓰는 박막트랜지스터로, 높은 이동도와 낮은 누설전류가 특징이다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향
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교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김연상 | 무기 및 전기전자 소재 · 고분자 및 유기 소재 | 7 | 2 |
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