Programmable Synapse‐Like MoS2 Field‐Effect Transistors Phase‐Engineered by Dynamic Lithium Ion Modulation

2020 · Advanced Electronic Materials

저자

연구주제

Advanced Memory and Neural Computing · 2D Materials and Applications · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design

NTIS 과학기술표준분류

가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: 지원 과제의 분류와 AI 키워드가 잡은 과제의 분류를 반씩.

AI 연구 키워드·방법

lithium ion intercalation 이황화몰리브덴(MoS2) phase engineering 시냅스 트랜지스터

키워드 (OpenAlex)

MoS2 field-effect transistors synaptic transistors phase engineering resistive switching non-volatile memory Schottky barrier height neuromorphic computing two-dimensional materials

초록

Abstract Synaptic transistors, inspired by brain plasticity, have shown strong potential as neuromorphic computing elements. Employing 2D materials for synaptic devices can provide an additional degree‐of‐freedom for monolithically integrated circuits owing to their atomically thin body and suitable electrical properties. Herein, a programmable molybdenum disulfide (MoS2) field‐effect transistor (FET) that emulates synaptic interaction via phase engineering, which is assisted by field‐driven ionic modulation, is reported. Li+ ions selectively introduced into the van der Waals gap of the multilayer MoS2 convert the 2H phase (semiconducting) into the 1T' phase (metallic), resulting in a seamless and reversible 1T'/2H heterophase homojunction device. The 1T'‐MoS2 region exhibits dynamic resistive switching behavior in a non‐volatile fashion with a switching ratio of ≈10 owing to the Li+ ion…

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

연도	과제	부처	사업	수행기관	NTIS 분류(1순위)
2020	방사선 조사를 통한 hexagonal boron nitride 초박막의 물성제어 연구	교육부	개인기초연구(교육부)(R&D)	고려대학교	범위 밖
2020	PFC 가스 대체용 Fluoro-ether 및 Fluoro-alcohol 계열 Precursor를 이용한 식각공정 기술 개발	산업통상자원부	에너지수요관리핵심기술개발(에특)(R&D)	아주대학교산학협력단	범위 밖

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