Selective electrochemical etching of epitaxial aluminum nitride thin film

저자

Yongha Choi, Rak-Jun Choi, 김지현 (Jihyun Kim)

연구주제

GaN-based semiconductor devices and materials · Semiconductor materials and devices

NTIS 과학기술표준분류

가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: 지원 과제의 분류와 AI 키워드가 잡은 과제의 분류를 반씩.

AI 연구 키워드·방법

질화알루미늄(AlN) electrochemical etching epitaxial thin film selective etching

키워드 (OpenAlex)

aluminum nitride electrochemical etching epitaxial thin films spatial selectivity anodic bias etch pits wide bandgap semiconductors

초록

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

연도	과제	부처	사업	수행기관	NTIS 분류(1순위)
2020	방사선 조사를 통한 hexagonal boron nitride 초박막의 물성제어 연구	교육부	개인기초연구(교육부)(R&D)	고려대학교	범위 밖
2020	PFC 가스 대체용 Fluoro-ether 및 Fluoro-alcohol 계열 Precursor를 이용한 식각공정 기술 개발	산업통상자원부	에너지수요관리핵심기술개발(에특)(R&D)	아주대학교산학협력단	범위 밖