Solution-processed amorphous ZrO 2 gate dielectric films synthesized by a non-hydrolytic sol–gel route

2018 · RSC Advances

저자

Jong‐Baek Seon, Nam-Kwang Cho, Gayeong Yoo, 김연상 (Youn Sang Kim), Kookheon Char

연구주제

Thin-Film Transistor Technologies · Organic Electronics and Photovoltaics · Semiconductor materials and devices

NTIS 과학기술표준분류

가장 가까운 분류(재료 > 고분자재료 > 전기/전자정보용 소재기술)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.

AI 연구 키워드·방법

non hydrolytic sol gel process 유기 박막트랜지스터(OTFT) zirconium oxide gate dielectric

키워드 (OpenAlex)

ZrO2 gate dielectric non-hydrolytic sol-gel solution processing low-temperature film deposition high dielectric constant thin-film transistors organic electronics

초록

Solution-processed amorphous zirconium oxide (ZrO 2 ) dielectrics were formed via a non-hydrolytic sol–gel route at low-temperature. The ZrO 2 films exhibited a high dielectric constant and high mobility p-type pentacene TFTs were fabricated using them.

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음

인접 그래프

노드 hover = 이웃 강조 · 1회 클릭 = 고정 · 고정된 노드 다시 클릭 = 페이지 이동

이 문서와 연결된 페이지