Reducing the contact and channel resistances of black phosphorus via low-temperature vacuum annealing
2018 · Journal of Materials Chemistry C
저자
Hyunik Park, Jongha Son, 김지현 (Jihyun Kim)
연구주제
2D Materials and Applications · Graphene research and applications · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
NTIS 과학기술표준분류
가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.
AI 연구 키워드·방법
흑린 접촉 저항 전계효과 트랜지스터(FET) vacuum annealing
키워드 (OpenAlex)
black phosphorus contact resistance channel resistance vacuum annealing low-temperature annealing two-dimensional semiconductors electrical contacts
초록
Contact and channel resistances of black phosphorus were improved via low-temperature vacuum annealing.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음
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