SNU CBE

Reducing the contact and channel resistances of black phosphorus via low-temperature vacuum annealing

2018 · Journal of Materials Chemistry C

저자

Hyunik Park, Jongha Son, 김지현 (Jihyun Kim)

연구주제

2D Materials and Applications · Graphene research and applications · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design

NTIS 과학기술표준분류

가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.

AI 연구 키워드·방법

흑린 접촉 저항 전계효과 트랜지스터(FET) vacuum annealing

키워드 (OpenAlex)

black phosphorus contact resistance channel resistance vacuum annealing low-temperature annealing two-dimensional semiconductors electrical contacts

초록

Contact and channel resistances of black phosphorus were improved via low-temperature vacuum annealing.

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음

인접 그래프

노드 hover = 이웃 강조 · 1회 클릭 = 고정 · 고정된 노드 다시 클릭 = 페이지 이동

이 문서와 연결된 페이지

교수 1

김지현

연구주제 1

2D Materials and Applications

키워드 3

전계효과 트랜지스터(FET) · 흑린 · 접촉 저항