Electrical and Optical Damage to GaN-Based Light-Emitting Diodes by 20-MeV Proton Irradiation
2016 · Science of Advanced Materials
저자
Gwangseok Yang, Younghun Jung, Byung-Jae Kim, 김지현 (Jihyun Kim)
연구주제
GaN-based semiconductor devices and materials · Radiation Effects in Electronics
NTIS 과학기술표준분류
가장 가까운 분류(전기/전자 > 디스플레이 > 디스플레이 부품/소재)가 화학·화공 범위 밖이다. 배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류.
AI 연구 키워드·방법
gallium nitride light emitting diode 양성자 조사 방사선 유발 열화
키워드 (OpenAlex)
gallium nitride light-emitting diodes proton irradiation radiation damage electrical degradation optical degradation high-energy ion irradiation
초록
초록 없음
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음
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연구주제 1
GaN-based semiconductor devices and materials