Effects of Li doping on the negative bias stress stability of solution-processed ZnO thin film transistors

2015 · RSC Advances

저자

Bokyung Kim, Si Yun Park, Jieun Ko, Young‐Jae Kim, 김연상 (Youn Sang Kim)

연구주제

Thin-Film Transistor Technologies · ZnO doping and properties · Organic Electronics and Photovoltaics

NTIS 과학기술표준분류

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AI 연구 키워드·방법

바이어스 스트레스 안정성 리튬 도핑 산화아연 박막트랜지스터(ZnO TFT)

키워드 (OpenAlex)

lithium doping ZnO thin-film transistors negative bias stress stress stability field-effect mobility threshold voltage shift solution-processed oxide semiconductors

초록

To investigate the effect of Li dopant on the electrical characteristics under negative bias stress (NBS), we analysed ZnO and Li doped ZnO TFTs. The Li dopant enhanced the field effect mobility and sustained the variation in V on of the ZnO TFTs.

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

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