심준위 과도 분광법(DLTS) deep level transient spectroscopy
방법 · 실험·측정·분석
5학부 논문
1교수
9억 국가 R&D(2015–24)
소규모증가율
0.00%서울대 비중
온도에 따른 정전용량 과도 응답을 측정해 반도체 내 깊은 준위 결함의 에너지와 농도를 분석하는 기법이다.
연도별 학부 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 8건 · 10년 9억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 100.0% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'deep level transient spectroscopy', 국문 'DLTS', '심준위결함'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 물리학 > 응집물질물리 65% · 전기/전자 > 디스플레이 35%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2022 | 결함공학적 접근으로 할라이드 페로브스카이트 소자의 효율 및 신뢰성 향상 | 한양대학 | 과학기술정보통신부 | 1.5 |
교수
| 교수 | 연구분야 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 김지현 | 공정시스템 | 5 | 0 |
연결되는 NTIS 분류
없음
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | 학부 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2021 | Electrical properties and deep trap spectra in Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy on p-type diamond substrates Journal of Applied Physics | 김지현 | 35 |
| 2021 | 1 GeV proton damage in β-Ga2O3 Journal of Applied Physics | 김지현 | 18 |
| 2019 | Defect States Determining Dynamic Trapping-Detrapping in β-Ga 2 O 3 Field-Effect Transistors ECS Journal of Solid State Science and Technology | 김지현 | 36 |
| 2018 | Point defect induced degradation of electrical properties of Ga2O3 by 10 MeV proton damage Applied Physics Letters | 김지현 | 156 |
| 2018 | Defects responsible for charge carrier removal and correlation with deep level introduction in irradiated β-Ga2O3 Applied Physics Letters | 김지현 | 104 |
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교수 1
논문 5
Defects responsible for charge carrier removal and correlation with de · 1 GeV proton damage in β-Ga2O3 · Point defect induced degradation of electrical properties of Ga2O3 by · Electrical properties and deep trap spectra in Ga2O3 films grown by ha · Defect States Determining Dynamic Trapping-Detrapping in β-Ga 2 O 3 Fi