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결함 패시베이션 defect passivation

키워드 · 태양·수소·연료전지

4학부 논문
2교수
43억 국가 R&D(2015–24)
소규모증가율
8.59%서울대 비중

페로브스카이트 등 광흡수층의 표면·결정립계 결함을 화학적으로 비활성화해 손실을 줄이는 기술이다.

연도별 학부 논문

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국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)

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2015–2024 과제 레코드 28건 · 10년 43억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 100.0% · 서울대(본교) 8.59%. 매칭: 영문 키워드 'defect passivation', 국문 '결함 패시베이션', '결함 부동태화'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.

매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 물리학 > 응집물질물리 50% · 전기/전자 > 디스플레이 27% · 재료 > 세라믹재료 9% · 에너지/자원 > 신재생에너지 8%

최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)

연도과제수행기관부처억
2022결함 제거 원리 규명을 통한 페로브스카이트 광전자소자의 한계 극복 연구부경대학과학기술정보통신부3.6
2022고색순도 페로브스카이트 나노결정 발광소재 및 기능성 리간드 개발한양대학과학기술정보통신부3.5
2022초민감 X선 검출기용 유사 단결정 페로브스카이트 후막 기술 연구성균관대학과학기술정보통신부2.0
2023층상물질과 이종접합된 페로브스카이트 나노결정의 전자 구조 및 광학적인 특성 연구울산과학기술원과학기술정보통신부1.5
2022유기 할라이드 페로브스카이트의 표면 및 계면 재결합을 최소화하는 이종접합 전자구조 연구강원대학과학기술정보통신부0.8

교수

교수연구분야논문2022년 이후
정인무기 및 전기전자 소재20
오준학무기 및 전기전자 소재 · 고분자 및 유기 소재20

함께 나오는 키워드

첨가제 엔지니어링 고용체 합금

연결되는 NTIS 분류

고분자 공정기술 1

논문 (최신순)

연도논문학부 저자피인용
2021Highly Efficient Hole Transport Layer‐Free Low Bandgap Mixed Pb–Sn Perovskite Solar Cells Enabled by a Binary Additive System 고분자 공정기술 › 고분자 박막/코팅 제조기술
Advanced Functional Materials
오준학67
2020Synergistic Effects of Cation and Anion in an Ionic Imidazolium Tetrafluoroborate Additive for Improving the Efficiency and Stability of Half‐Mixed Pb‐Sn Perovskite Solar Cells
Advanced Functional Materials
오준학108
2019Controlled synthesis of SnSxSe2−x nanoplate alloys via synergetic control of reactant activity and surface defect passivation control with surfactant and co-surfactant mixture
Journal of Solid State Chemistry
정인5
2018High-Performance Quantum Dot Thin-Film Transistors with Environmentally Benign Surface Functionalization and Robust Defect Passivation
ACS Applied Materials & Interfaces
정인33

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오준학 · 정인

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Highly Efficient Hole Transport Layer‐Free Low Bandgap Mixed Pb–Sn Per · Controlled synthesis of SnSxSe2−x nanoplate alloys via synergetic cont · Synergistic Effects of Cation and Anion in an Ionic Imidazolium Tetraf · High-Performance Quantum Dot Thin-Film Transistors with Environmentall